एक $n$-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और होल अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं। एक $n$-प्रकार के अर्धचालक का आवेश होता है

$p$-प्रकार के अर्धचालक का ग्राही स्तर (acceptor level) वैलेंस बैंड से $6 \ eV$ ऊपर है। प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य जो एक होल बना सकती है,वह होगी: (दिया गया है: $hc = 1242 \ eV \ nm$) ($nm$ में)

मुक्त इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता मुक्त होल्स की तुलना में अधिक होती है क्योंकि

कथन: कमरे के तापमान पर $p-$प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या शुद्ध सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या से कम होती है।
कारण: यह द्रव्यमान क्रिया के नियम (law of mass action) के कारण है।

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए कौन सा कथन सही है?

अर्धचालक सामान्यतः होते हैं