एक एक्सट्रिंसिक n-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद | vedclass

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Question

(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में,आंतरिक अर्धचालक में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु (दाता परमाणु) मिलाए जाते हैं।ये दाता परमाणु दाता ऊर्जा स्तर नामक अलग-अलग ऊ

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बैंड अंतराल (band gap) में और चालन बैंड के करीब।

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(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में,आंतरिक अर्धचालक में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु (दाता परमाणु) मिलाए जाते हैं।ये दाता परमाणु दाता ऊर्जा स्तर नामक अलग-अलग ऊर्जा स्तर बनाते हैं।ये दाता ऊर्जा स्तर बैंड अंतराल के भीतर,चालन बैंड के ठीक नीचे स्थित होते हैं।चूंकि ये स्तर चालन बैंड के बहुत करीब होते हैं,इसलिए इन स्तरों में मौजूद इलेक्ट्रॉन कमरे के तापमान पर आसानी से ऊष्मीय ऊर्जा प्राप्त करके चालन बैंड में जा सकते हैं।इसलिए,सही विकल्प $(C)$ है।

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एक निश्चित तापमान पर एक आंतरिक अर्धचालक (intrinsic semiconductor) के चालन बैंड (conduction band) में इलेक्ट्रॉनों के पाए जाने की प्रायिकता:

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