एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि
- A$p-$ क्षेत्र में मौजूद होल उन्हें आकर्षित करते हैं
- Bविभवांतर के कारण इलेक्ट्रॉन जंक्शन के पार यात्रा करते हैं
- Cकेवल इलेक्ट्रॉन $n$ से $p$ क्षेत्र में जाते हैं और इसके विपरीत नहीं
- D$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन सांद्रता अधिक होती है
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एक सिलिकॉन डायोड में $100\, mA$ की फॉरवर्ड $DC$ धारा के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $1.2\, V$ है। $10\, V$ के रिवर्स वोल्टेज के लिए इसका रिवर्स करंट $1\times10^{-6}\, A$ है। डायोड का बल्क और रिवर्स प्रतिरोध क्या है?
Medium
View Solution$p-n$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?
यदि $P-N$ जंक्शन पर कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं किया जाता है,तो क्या होगा?
Easy
View Solutionएक अर्धचालक उपकरण $X$ को एक बैटरी और एक प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है। परिपथ से $10 \ mA$ की धारा प्रवाहित होती है। यदि $X$ के टर्मिनलों को उलट दिया जाए,तो धारा लगभग शून्य हो जाती है। $X$ क्या हो सकता है?
चित्र में दिखाए गए नेटवर्क में दो आदर्श डायोड जुड़े हुए हैं। $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध $.......\Omega$ है।
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