एक अनबायस्ड $P-N$ जंक्शन में,होल्स $p-$ क्षेत्र से $n-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

दो एमीटर $A_1$ और $A_2$ को दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार जोड़ा गया है। एमीटर के आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए, मीटर $A_1$ में रीडिंग क्या है ($\text{A}$ में)?

$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है, तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

डायोड $D_1$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $20 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $600 \ \Omega$ है। डायोड $D_2$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $200 \ \Omega$ है। $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध ज्ञात कीजिए यदि $(i)$ $A$ उच्च विभव पर है और $(ii)$ $B$ उच्च विभव पर है।

दिए गए चित्र में दिखाए गए नेटवर्क के कुल प्रतिरोध का मान क्या है?

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।