शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में 10^{13} text{ a | vedclass

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Question

(D) $n$-प्रकार के अर्धचालक की चालकता $\sigma = \frac{1}{ho} = e n_e \mu_e$ द्वारा दी जाती है।यहाँ,$e = 1.6 	imes 10^{-19} 	ext{ C}$ प्राथमिक आवेश

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$520.9$

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(D) $n$-प्रकार के अर्धचालक की चालकता $\sigma = \frac{1}{ho} = e n_e \mu_e$ द्वारा दी जाती है।यहाँ,$e = 1.6 	imes 10^{-19} 	ext{ C}$ प्राथमिक आवेश है।$n_e$ दाता इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है,जो फास्फोरस परमाणुओं की सांद्रता के बराबर है,$n_e = 10^{13} 	ext{ cm}^{-3}$।$\mu_e = 1200 	ext{ cm}^2/	ext{V} \cdot 	ext{s}$ इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता है।प्रतिरोधकता $ho$ के सूत्र में इन मानों को रखने पर:$ho = \frac{1}{e n_e \mu_e} = \frac{1}{1.6 	imes 10^{-19} 	imes 10^{13} 	imes 1200}$।$ho = \frac{1}{1.6 	imes 1200 	imes 10^{-6}} = \frac{1}{1920 	imes 10^{-6}} = \frac{1}{1.92 	imes 10^{-3}} = \frac{1000}{1.92} \approx 520.83 \, \Omega \cdot 	ext{cm}$।अतः,प्रतिरोधकता लगभग $520.9 \, \Omega \cdot 	ext{cm}$ है।

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