ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં, આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ વધારતા:

પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ જે ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનનું કારણ બને છે તે $\lambda_0$ છે. $\frac{\lambda_0}{3}$ અને $\frac{\lambda_0}{9}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના બે કિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે $3.8 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન $2.8 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા .......... $eV$ હોય છે.

જ્યારે $n$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે ત્યારે સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો આપાત આવૃત્તિ વધારીને $3n$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda /2$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $3$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?
$(h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશની ઝડપ $)$

જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3 \ eV$ હોય,તો થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ............ $\mathring{A}$ હશે.