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Question

(A) दिए गए परिपथ में,सिलिकॉन $(Si)$ और जर्मेनियम $(Ge)$ दोनों डायोड समानांतर में जुड़े हुए हैं। सिलिकॉन डायोड के लिए कट-इन वोल्टेज $0.7 \, V$ है और जर

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$11.7 \, V$

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(A) दिए गए परिपथ में,सिलिकॉन $(Si)$ और जर्मेनियम $(Ge)$ दोनों डायोड समानांतर में जुड़े हुए हैं। सिलिकॉन डायोड के लिए कट-इन वोल्टेज $0.7 \, V$ है और जर्मेनियम डायोड के लिए $0.3 \, V$ है।जैसे-जैसे इनपुट वोल्टेज $0 \, V$ से $12 \, V$ तक बढ़ता है,डायोड के सिरों पर वोल्टेज बढ़ता है। जब वोल्टेज $0.3 \, V$ तक पहुँचता है,तो जर्मेनियम डायोड चालन शुरू कर देता है और $0.3 \, V$ की बैटरी के रूप में कार्य करता है। चूंकि डायोड समानांतर में हैं,सिलिकॉन डायोड के सिरों पर वोल्टेज $0.3 \, V$ पर सीमित हो जाता है। चूंकि $0.3 \, V इसलिए,परिपथ $12 \, V$ स्रोत,$0.3 \, V$ बैटरी (जो चालन कर रहे $Ge$ डायोड का प्रतिनिधित्व करती है),और $2.2 \, k\Omega$ प्रतिरोधक के श्रेणी संयोजन के रूप में व्यवहार करता है।प्रतिरोधक के सिरों पर वोल्टेज $V_0$ इनपुट और डायोड ड्रॉप के बीच विभवांतर द्वारा दिया जाता है:$V_0 = 12 \, V - 0.3 \, V = 11.7 \, V$.

चित्र में दिखाए गए परिपथ में,परिपथ नेटवर्क के लिए वोल्टेज $V_0$ ज्ञात कीजिए।

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