चित्र में,$A$ और $B$ के बीच विभवांतर......$V$ है।

एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक प्रतिरोध $R$ के साथ समानांतर में जोड़ा गया है। सबसे संभावित धारा $(I)$ - वोल्टेज $(V)$ अभिलक्षण क्या है?

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5 \,V$ है,तो धारा.....$ mA$ होगी।

कथन $I :$ जब $Si$ के नमूने में बोरॉन मिलाया जाता है,तो यह $P$-प्रकार का बन जाता है और जब आर्सेनिक मिलाया जाता है,तो यह $N$-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है,जिससे $P$-प्रकार में होल्स की अधिकता और $N$-प्रकार में इलेक्ट्रॉनों की अधिकता होती है।
कथन $II$ : जब ऐसे $P$-प्रकार और $N$-प्रकार के अर्धचालकों को जोड़कर एक जंक्शन बनाया जाता है,तो स्वतः ही एक विद्युत धारा प्रवाहित होती है जिसे बाहरी रूप से जुड़े एमीटर से पता लगाया जा सकता है।
उपरोक्त कथनों के प्रकाश में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें।

$P-N$ जंक्शन का विभव प्राचीर (potential barrier) $0.5 \ V$ है। अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $5.0 \times 10^{-7} \ m$ है,तो विद्युत क्षेत्र की गणना कीजिए।

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा: