दिखाए गए चित्र में, यदि डायोड का फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.2 \, V$ है, तो $A$ और $B$ के बीच वोल्टेज का अंतर क्या है ($V$ में)?

चित्र में एक अर्धचालक डायोड के $I-V$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। $V = -8 \text{ V}$ और $I_{d} = 10 \text{ mA}$ पर डायोड का प्रतिरोध क्रमशः क्या होगा?

निम्नलिखित विद्युत परिपथ में, मिलीएमीटर का पाठ्यांक क्या है ($\text{ mA}$ में)? (सिलिकॉन डायोड का नी-वोल्टेज $= 0.7 \text{ V}$ लें)

एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी:

यदि एक $p-n$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में है,तो निम्नलिखित में से कौन सा चित्र अर्धचालक के अंदर धारा की सही दिशा देता है?

दिए गए परिपथ में एक $12 \, V$ की बैटरी,एक $4 \, \Omega$ का प्रतिरोधक और समानांतर में दो शाखाएं हैं,जिनमें से प्रत्येक में एक आदर्श डायोड और एक प्रतिरोधक है। शाखा $1$ में डायोड $D_1$ और $3 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है,जबकि शाखा $2$ में डायोड $D_2$ और $2 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($, A$ में)