નીચેની આકૃતિમાં,જો $V_2 > V_1$ હોય,તો:

જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $3600 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને પ્રકાશની તીવ્રતા $L$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ સોડિયમની શુદ્ધ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય અને દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)

જ્યારે $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન એક અલગ કરેલા ગોળા પર આપાત થાય છે,ત્યારે અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ મળે છે. જ્યારે $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અગાઉના મૂલ્ય કરતાં ત્રણ ગણું મળે છે. જો $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો આ કિસ્સા માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શોધો.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.