આપેલ આકૃતિમાં,સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે સંયુક્ત ડાયલેક્ટ્રિક મૂકીને એક કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. આ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સનું સૂત્ર શું હશે? (આપેલ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $= A$)

સમાન કદની ચાર ધાતુની પ્લેટો $A, B, C$ અને $D$ જેની વચ્ચે સમાન અંતર છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવવામાં આવી છે. $B, C$ અને $C, D$ ની વચ્ચે અનુક્રમે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવ્યા છે. પ્લેટો $B$ અને $D$ ને એકબીજા સાથે જોડવામાં આવી છે. $A$ અને $C$ વચ્ચેનું અસરકારક કેપેસીટન્સ કેટલું હશે? (ધારો કે ડાયલેક્ટ્રિક વગર દરેક પ્લેટની જોડીનું કેપેસીટન્સ $C$ છે):

એક માધ્યમ જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K > 1$ છે,તે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ભરે છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ મોટું છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે,જે આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ છે. હવે,પ્લેટોને એવી રીતે ખસેડવામાં આવે છે કે તેમની વચ્ચેનું અંતર $2d$ થાય,અને $d$ જાડાઈનો ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ તેમની વચ્ચે રહે છે,જે આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ છે. આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાંથી આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાં જવાની પ્રક્રિયામાં,નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$,પહોળાઈ $w$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $d$ જાડાઈ અને $k = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની અંદર સ્લેબની કેટલી લંબાઈ $x$ માટે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા પ્રારંભિક સંગ્રહિત ઉર્જા કરતા બમણી થશે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1 \mu F$ છે. હવે,કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે? ($d=$ બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર,$K_1=8$ અને $K_2=4$ એ અનુક્રમે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે).

કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિકનું કાર્ય શું છે?