નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણમાં ધાતુ આયન $t_{2g}^3 e_g^2$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવે છે?

નીચે આપેલા સંકીર્ણોને List-$I$ માંથી List-$II$ માં તેમની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના સાથે જોડો.

List-$I$ (સંકીર્ણ)	List-$II$ (ધાતુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના)
$A. [Co(NH_3)_6]^{3+}$	$I. t_{2g}^5 e_g^0$
$B. [CoF_6]^{3-}$	$II. t_{2g}^6 e_g^0$
$C. [Ni(CO)_4]$	$III. t_{2g}^4 e_g^2$
$D. [Fe(CN)_6]^{3-}$	$IV. t^4 e^6$

નીચેના પૈકી કયું ઉચ્ચ સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન (crystal field splitting) ઉત્પન્ન કરે છે?

હાઈ-સ્પિન $d^4$ ટેટ્રાહેડ્રલ કોમ્પ્લેક્સ માટે ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ ની ગણતરી કરો.

$[M(H_2O)_6]^{2+}$ સંકીર્ણ સામાન્ય રીતે $600 \ nm$ ની આસપાસ શોષણ કરે છે. તેની એમોનિયા સાથે પ્રક્રિયા કરીને નવું સંકીર્ણ $[M(NH_3)_6]^{2+}$ બને છે, જેનું શોષણ ....... $nm$ પર હોવું જોઈએ.

હાઈ સ્પિન $d^4$ અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ માટે ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ કેટલી છે?