ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કારણે ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા:

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda/3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય, તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્યવિધેય (work function) શોધો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશની ઝડપ).

જ્યારે અમુક આવૃત્તિ ધરાવતું અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણ પોટેશિયમ ટાર્ગેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનને $0.6 \, V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવી શકાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિમાં $10 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે,તો આ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધીને $0.9 \, V$ થાય છે. પોટેશિયમનું વર્ક ફંક્શન ........ $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે એક ધાતુના કટ-ઓફ પોટેન્શિયલ $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ માટે $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ વોલ્ટ મળે છે. જો $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ સમાંતર શ્રેણી (Arithmetic Progression) માં હોય,તો $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ શેમાં હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે, જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)