ધારો કે $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_1$ છે અને $\lambda_2$ ને અનુરૂપ ગતિઊર્જા $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 2\lambda_2$ હોય,તો:

શા માટે તરંગવાદ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિમાં ફેરફાર સાથે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં થતા ફેરફારને સમજાવી શકતો નથી?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ થી ઘટાડીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય શોધો. [$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ]

ફોટોઈમિશન થાય છે તેમ ધારીને,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)