$4 \times 10^{14} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2.14 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે ($\,eV$ માં)? $\left[h=6.63 \times 10^{-34} \,J-s\right]$

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે, વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશનો વેગ, $e$ = ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ પર કેવી રીતે આધાર રાખે છે? તે કયા પરિબળો પર આધાર રાખતું નથી?

$E$ ઊર્જા ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{E}{3}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $K$ કેટલી હશે?

જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3 \ eV$ હોય,તો થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ............ $\mathring{A}$ હશે.