વેગ સાથે દળમાં થતા ફેરફારને અવગણતા,$E$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઈ કોના પ્રમાણમાં હોય છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોસેલના કેથોડ પર આપાત થાય છે. કેથોડની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? (વર્ક ફંક્શન અવગણ્ય છે).
($c =$ પ્રકાશનો વેગ,$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m =$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ)

$9 \ eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો. (લો: $h=4 \times 10^{-15} \ eV \cdot s$,$c=3 \times 10^{10} \ cm/s$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m_e c^2=0.5 \ MeV$)

પ્રોટોનની ઝડપ $c / 20$ છે. તેની સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$8 \mu g$ દળનો એક ગતિશીલ કણ $4 \mu g$ દળના સ્થિર કણ સાથે અથડાય છે। જો અથડામણ સંપૂર્ણ સ્થિતિસ્થાપક અને એકપરિમાણીય હોય, તો અથડામણ પછી તેમની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો હશે ($2 : 1$ માં)?

પ્રોટોન અને $\alpha$ કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda$ અને $2\lambda$ છે. પ્રોટોન અને $\alpha$ કણના વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?