$5\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો એનોડ $A$ નું કેથોડ $C$ ની સાપેક્ષ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .............. $V$ હોય તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

જ્યારે ધાતુ પર પડતા વિકિરણની તરંગલંબાઈ $500 \, nm$ થી બદલીને $200 \, nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થઈ જાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે $..... \, eV$ છે.

એક $EM$ વિકિરણનો વિદ્યુતક્ષેત્ર ઘટક સમય સાથે $E = a(\cos \omega_{0} t + \sin \omega t \cos \omega_{0} t)$ મુજબ બદલાય છે, જ્યાં '$a$' અચળાંક છે, $\omega = 10^{15} \text{ s}^{-1}$, અને $\omega_{0} = 5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1}$ છે. આ વિકિરણ એક ધાતુ પર પડે છે જેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ છે. તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે? $(h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s})$

ફોટોઈમિશન થાય છે તેમ ધારીને,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

$0.6 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર $2 \ eV$ ઊર્જાવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_x$ અને $\phi_y$ એ અનુક્રમે $X$ અને $Y$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો: