અર્ધવાહક (semiconductor) ના સંદર્ભમાં નીચેનામ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) અર્ધવાહકમાં,ઓરડાના તાપમાને,ઉષ્મીય ઉર્જા કેટલાક સહસંયોજક બંધોને તોડવા માટે પૂરતી હોય છે,જેનાથી ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીઓ ઉત્પન્ન થાય છે. તેથી,ઓરડાના તાપ

Vedclass · Accepted Answer

ઓરડાના તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી

Vedclass · Answer

(A) અર્ધવાહકમાં,ઓરડાના તાપમાને,ઉષ્મીય ઉર્જા કેટલાક સહસંયોજક બંધોને તોડવા માટે પૂરતી હોય છે,જેનાથી ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીઓ ઉત્પન્ન થાય છે. તેથી,ઓરડાના તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હાજર હોય છે. $0 \ K$ તાપમાને,અર્ધવાહક એક સંપૂર્ણ અવાહક તરીકે વર્તે છે કારણ કે બંધો તોડવા માટે કોઈ ઉષ્મીય ઉર્જા હોતી નથી,જેનો અર્થ છે કે ત્યાં કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી. આમ,વિકલ્પ $A$ ખોટો છે.

અર્ધવાહક (semiconductor) ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Similar Questions

જો અર્ધવાહકનું તાપમાન વધારવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.1 \, eV$ છે. કેટલી તરંગલંબાઈએ સિલિકોન ફોટોનનું શોષણ કરવાનું બંધ કરશે? ($\mathring A$ માં)

અવાહકોની વિદ્યુત વાહકતા કેટલી હોય છે?

$Si$ નો એનર્જી બેન્ડ ગેપ ........ $eV$ છે.

ઓરડાના તાપમાને જર્મેનિયમ માટે ઇલેક્ટ્રોનને ફોરબિડન બેન્ડ કૂદવા માટે જરૂરી ઉર્જા $........... eV$ છે.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module