ફોરવર્ડ બાયસમાં $\text{P-N}$ જંકશનની $\text{I-V}$ લાક્ષણિકતા દર્શાવેલ છે. જંકશનનો આશરે ફોરવર્ડ અવરોધ કેટલો છે $-$ ($\Omega$ માં)

આકૃતિમાં આપેલ સર્કિટ ડાયાગ્રામ જુઓ. નીચેનામાંથી કયા અવલોકનો સાચા છે?
$A.$ સર્કિટનો કુલ અવરોધ $6 \ \Omega$ છે.
$B.$ એમીટરમાં પ્રવાહ $1 \ A$ છે.
$C.$ $AB$ ની આજુબાજુનો પોટેન્શિયલ $4 \ V$ છે.
$D.$ $CD$ ની આજુબાજુનો પોટેન્શિયલ $4 \ V$ છે.
$E.$ સર્કિટનો કુલ અવરોધ $8 \ \Omega$ છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

નીચેનામાંથી કયો આલેખ $P-N$ જંકશન માટે સાચો છે? (જ્યારે $P-N$ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ હોય.)

જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.

આ સર્કિટમાં બે ડાયોડ છે,જેમાંથી દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50\, \Omega$ અને રિવર્સ અવરોધ અનંત છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6\, V$ હોય,તો $120\, \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો પ્રવાહ $mA$ માં કેટલો હશે?

અનબાયસ્ડ $n-p$ જંકશનમાં,ઇલેક્ટ્રોન $n-$ વિસ્તારમાંથી $p-$ વિસ્તારમાં પ્રસરણ પામે છે કારણ કે