જર્મેનિયમ અને સિલિકોનમાં બેન્ડ ગેપ eV માં અનુ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) એનર્જી બેન્ડ ગેપ $(E_g)$ એ વેલેન્સ બેન્ડની ટોચ અને કન્ડક્શન બેન્ડના તળિયા વચ્ચેનો ઉર્જાનો તફાવત છે.જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે,ઓરડાના તાપમાને બેન્ડ ગેપ

Vedclass · Accepted Answer

$0.7, 1.1$

Vedclass · Answer

(A) એનર્જી બેન્ડ ગેપ $(E_g)$ એ વેલેન્સ બેન્ડની ટોચ અને કન્ડક્શન બેન્ડના તળિયા વચ્ચેનો ઉર્જાનો તફાવત છે.જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે,ઓરડાના તાપમાને બેન્ડ ગેપ આશરે $0.7 \ eV$ છે.સિલિકોન $(Si)$ માટે,ઓરડાના તાપમાને બેન્ડ ગેપ આશરે $1.1 \ eV$ છે.તેથી,જર્મેનિયમ અને સિલિકોનમાં બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $0.7 \ eV$ અને $1.1 \ eV$ છે.

જર્મેનિયમ અને સિલિકોનમાં બેન્ડ ગેપ $eV$ માં અનુક્રમે કેટલો છે?

Similar Questions

શું કોપર (તાંબા) માં $n$-પ્રકારની અથવા $p$-પ્રકારની અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાનો કોઈ ફાયદો છે?

$C$, $Si$ અને $Ge$ સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે. શા માટે $C$ અવાહક છે જ્યારે $Si$ અને $Ge$ શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકો છે?

અર્ધવાહકમાં,કન્ડક્શન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ વચ્ચેનું અંતર $... \, eV$ ના ક્રમનું હોય છે.

પરમ શૂન્ય તાપમાને,શુદ્ધ સિલિકોન કેવી રીતે વર્તે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module