નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A, C) $1$. $In$ ની $IE_1$ $(579 \ kJ/mol)$ એ $Al$ ની $IE_1$ $(577 \ kJ/mol)$ કરતા વધારે છે,જેનું કારણ $In$ માં $d$-ઇલેક્ટ્રોનની નબળી શીલ્ડિંગ અસર છે.

Vedclass · Accepted Answer

$NO_2^{-}$ અને $O_3$ આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ છે

Vedclass · Answer

(A, C) $1$. $In$ ની $IE_1$ $(579 \ kJ/mol)$ એ $Al$ ની $IE_1$ $(577 \ kJ/mol)$ કરતા વધારે છે,જેનું કારણ $In$ માં $d$-ઇલેક્ટ્રોનની નબળી શીલ્ડિંગ અસર છે. તેથી,વિધાન $A$ સાચું છે.$2$. જલીય દ્રાવણમાં,$Na^{\oplus}$ પાસે $Al^{3+}$ ની તુલનામાં નાનું હાઇડ્રેશન કવચ હોય છે કારણ કે $Al^{3+}$ ઉચ્ચ વીજભાર ઘનતા ધરાવે છે. તેથી,$Al^{3+}$ વધુ હાઇડ્રેટેડ છે અને તેની હાઇડ્રેટેડ ત્રિજ્યા મોટી છે. વિધાન $B$ ખોટું છે.$3$. $NO_2^{-}$ માં $24$ ઇલેક્ટ્રોન છે અને $O_3$ માં $24$ ઇલેક્ટ્રોન છે. બંનેમાં સમાન ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી,તેઓ આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક છે. વિધાન $C$ સાચું છે.$4$. ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $(E.A.)$ નો સાચો ઘટતો ક્રમ $Cl > F > Br$ છે કારણ કે $F$ નું કદ નાનું હોવાથી તેમાં આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ જોવા મળે છે. વિધાન $D$ ખોટું છે.

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયો આવર્તી ગુણધર્મ નથી?

નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો ખોટા છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module