$9 \, eV$ અને $4.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી બે ધાતુની સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો તફાવત $nm$ માં કેટલો છે? (આપેલ છે,$hc = 1242 \, eV \, nm$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટેનું આઈન્સ્ટાઈનનું સમીકરણ $E_k = hf - \phi_0$ છે. આ સમીકરણમાં $E_k$ ........... દર્શાવે છે.

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{1}$ છે. જ્યારે બીજી આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{2}$ બને છે. જો $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક હોય અને $e$ ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર હોય, તો બીજા કિસ્સામાં પ્રકાશની આવૃત્તિ કેટલી હશે?

આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E._{max})$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. આલેખનો ઢાળ અને $X$-અક્ષ પરનો અંતઃછેદ અનુક્રમે શું છે?

જ્યારે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) વધે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા:

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?