જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 3\lambda_2$ હોય, તો

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત પ્રકાશની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $380 \, nm$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $260 \, nm$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે: .............. $eV$. આપેલ છે: $E \text{ (in } eV) = \frac{1237}{\lambda \text{ (in } nm)}$.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા $2$ ગણી આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત આવૃત્તિને $\left(\frac{1}{3}\right)^{\text{rd}}$ કરવામાં આવે અને તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1:2$ છે. જો $A$ અને $B$ ની સપાટી પર અનુક્રમે $f$ અને $2f$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? (આપેલ છે: $f > A$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને $2f > B$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ)