$H_2^-$ આયનનું આણ્વીય ઇલેક્ટ્રોનિક બંધારણ શું છે?

પેરોક્સાઇડ આયન $(O_2^{2-})$ માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
$A.$ તે સંપૂર્ણ ભરાયેલી $\pi^*$ એન્ટિબોન્ડિંગ મોલેક્યુલર ઓર્બિટલ્સ ધરાવે છે.
$B.$ તે ડાયમેગ્નેટિક છે.
$C.$ તેનો બોન્ડ ઓર્ડર એક છે.
$D.$ તે નિયોન સાથે આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક છે.

આણ્વિય કક્ષક સિદ્ધાંતના આધારે $O_2^{2-}$ આણ્વિય આયનમાં એન્ટિ-બોન્ડિંગ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની સંખ્યા કેટલી છે?

$N_2, O_2, O_2^-$ વચ્ચે બંધ વિયોજન ઉર્જાનો સાચો ક્રમ નીચેનામાંથી કઈ ગોઠવણીમાં દર્શાવેલ છે?

$CO$ અને $NO^{\oplus}$ ના બંધ ક્રમાંક (bond order) વચ્ચેનો તફાવત $\frac{x}{2}$ છે,જ્યાં $x = .....$
(નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો)

નીચેનામાંથી કોની બંધ ઉર્જા સૌથી ઓછી છે?