કેન્દ્રીય પરમાણુની આસપાસ મહત્તમ સંખ્યામાં અબં | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) કેન્દ્રીય પરમાણુ $Xe$ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $(l.p.)$ ની સંખ્યા નક્કી કરવા માટે,આપણે સૂત્રનો ઉપયોગ કરીએ છીએ: $l.p. = \frac{1}{2} (V - M - C

Vedclass · Accepted Answer

$XeF_3^-$

Vedclass · Answer

(C) કેન્દ્રીય પરમાણુ $Xe$ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $(l.p.)$ ની સંખ્યા નક્કી કરવા માટે,આપણે સૂત્રનો ઉપયોગ કરીએ છીએ: $l.p. = \frac{1}{2} (V - M - C + A)$,જ્યાં $V$ એ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,$M$ એ એકસંયોજક પરમાણુઓની સંખ્યા છે,$C$ એ ધન વીજભાર છે,અને $A$ એ ઋણ વીજભાર છે.$1$. $XeOF_4$ માટે: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. $O$ દ્વિસંયોજક છે,$F$ એકસંયોજક છે ($4$ પરમાણુ). $l.p. = \frac{1}{2} (8 - 4) = 2$ ઇલેક્ટ્રોન,એટલે કે $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.$2$. $XeO_2F_2$ માટે: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે,$2$ $O$ પરમાણુ અને $2$ $F$ પરમાણુ છે. ગણતરી મુજબ $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ મળે છે.$3$. $XeF_3^-$ માટે: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન,$3$ $F$ પરમાણુ અને $1$ ઋણ વીજભાર છે. $l.p. = \frac{1}{2} (8 - 3 + 1) = 3$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.$4$. $XeO_3$ માટે: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે,$3$ $O$ પરમાણુ છે. $l.p. = \frac{1}{2} (8 - 0) = 4$ ઇલેક્ટ્રોન,એટલે કે $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.સરખામણી કરતા,$XeF_3^-$ માં $3$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે,જે મહત્તમ છે.

કેન્દ્રીય પરમાણુની આસપાસ મહત્તમ સંખ્યામાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $(l.p.)$ ધરાવતો અણુ કયો છે?

Similar Questions

$NH_3$ માં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) ની હાજરી તેના શેમાં ફેરફાર કરી શકે છે :-

$CH_4$,$NH_4^+$ અને $BH_4^-$ સ્પીસીઝને ધ્યાનમાં લો. આ સ્પીસીઝના સંદર્ભમાં સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

$TeF_4$ અણુનો ભૌમિતિક આકાર નીચેનામાંથી ઓળખો.

$\text{બંધકોણનો સાચો ક્રમ કયો છે?}$

$NH_{3}$ અણુમાં $H-N-H$ બંધકોણ કેટલો છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module