સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $2V$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ, ઇલેક્ટ્રોનને બિંદુ $P$ અને $Q$ પર મૂકવામાં આવે છે. તો,

$1\,m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.1\,m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $100\,N/C$ હોય,તો દરેક પ્લેટ પરના વિદ્યુતભારનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $12 \ \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ ... $\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $n$ સમાન અંતરે રહેલી પ્લેટોને વારાફરતી જોડીને બનાવવામાં આવે છે. જો કોઈપણ બે પ્લેટો વચ્ચેનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય, તો પરિણામી કેપેસિટન્સ કેટલું થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

પાંચ સમાન કેપેસિટર પ્લેટો,દરેકનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે,એવી રીતે ગોઠવેલી છે કે જેથી નજીકની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય. આ પ્લેટોને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V$ $emf$ ના સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો પ્લેટ $1$ અને $4$ પરનો વિદ્યુતભાર અનુક્રમે કેટલો હશે?