આપેલ સપાટી માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વચ્ચેના આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, જેનાથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $c = \text{પ્રકાશનો વેગ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$)

એક ધાતુની સપાટી પર પ્રકાશ ઉત્સર્જન કરાવવા માટે ચોક્કસ તીવ્રતા અને આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો પ્રકાશની તીવ્રતા ઘટાડીને તેના મૂળ મૂલ્યના એક-ચતુર્થાંશ કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓનો પ્રકાશ જેના ફોટોનની ઉર્જા અનુક્રમે $1 \text{ eV}$ અને $2.5 \text{ eV}$ છે,તે એક ધાતુની સપાટી પર વારાફરતી આપાત થાય છે જેનું કાર્ય વિધેય (work function) $0.5 \text{ eV}$ છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1:$ એક ધાતુની સપાટી પર $v > v_0$ (થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) આવૃત્તિ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોકરંટ અને મહત્તમ ગતિઊર્જા પણ બમણી થાય છે.
વિધાન $2:$ સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર રેખીય રીતે આધાર રાખે છે. ફોટોકરંટ માત્ર આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.