એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.

પ્રકાશનો એક બિંદુવત સ્ત્રોત $4.8 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનું ઉત્સર્જન $10^5$ ફોટોન પ્રતિ સેકન્ડના દરે કરે છે. આ ફોટોન $2.8 eV$ વર્ક ફંક્શન અને $9 mm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ફોટો-સેન્સિટિવ ગોળા પર આપાત થાય છે. ગોળો શરૂઆતમાં તટસ્થ છે અને ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને તરત જ દૂર કરવામાં આવે છે. કેટલા સમય પછી ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન અટકી જશે ($s$ માં)?

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)?

એક ધાતુની પ્લેટ પર $J$ તીવ્રતા અને $v$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશના કિરણોત્સર્ગ દ્વારા $T$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. તો, નીચેનામાંથી કયું સાચું હશે?

સોડિયમ અને તાંબાનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈઓનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.