जर्मेनियम क्रिस्टल को $N$-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए इसमें मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु की संयोजकता कितनी होती है?

डोप्ड सेमीकंडक्टर के आवेश के संबंध में कौन सा कथन सही है?

एक आंतरिक अर्धचालक में,चालन इलेक्ट्रॉनों का घनत्व $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ है। जब इसे इंडियम के साथ डोप किया जाता है,तो होल्स का घनत्व $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में चालन इलेक्ट्रॉनों का घनत्व ज्ञात कीजिए।

एक अर्धचालक में,$27^{\circ} \text{C}$ पर आंतरिक आवेश वाहकों की संख्या घनत्व $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ है। यदि अर्धचालक को अशुद्धि परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो होल घनत्व बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ है।

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता स्तर (acceptor level) वैलेंस बैंड से $57 \text{ meV}$ ऊपर है। होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ($\mathring{A}$ में) क्या होगी?