सिलिकॉन क्रिस्टल में फॉरबिडन गैप की चौड़ाई $1.1 \, eV$ है। जब क्रिस्टल को $N$-प्रकार के अर्धचालक में परिवर्तित किया जाता है,तो फर्मी स्तर की चालन बैंड (conduction band) से दूरी कितनी होती है?

एक $P-$प्रकार के अर्धचालक में,

जब $Ge$ क्रिस्टल को फास्फोरस परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो यह बन जाता है

$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

एक $Ge$ नमूने को $Al$ के साथ डोप किया गया है। स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं की सांद्रता $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ है। यदि इलेक्ट्रॉन-होल युग्मों की आंतरिक सांद्रता $10^{19} /m^3$ है, तो नमूने में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता क्या होगी?

$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालकों के बारे में संक्षेप में लिखें।