સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14\, eV$ છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60\, V$ દ્વારા ફોટો કરંટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (પરિણામ $nm$ માં)

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ દ્વારા ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત તમામ ઇલેક્ટ્રોન $2 \,N/C$ ના સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં $1 \,m$ અંતર કાપીને સ્થિર થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($\,eV$ માં)?

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

$P$ પાવર ધરાવતા સ્ત્રોત દ્વારા ઉત્સર્જિત $\lambda$ તરંગલંબાઈના ફોટોન ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. જો સેલમાં ઉત્પન્ન થતો પ્રવાહ $I$ હોય,તો ફોટોસેલમાં પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરતા આપાત ફોટોનની ટકાવારી કેટલી હશે? (જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે)

ત્રણ ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $W_A, W_B$ અને $W_C$ છે. તેઓ ઘટતા ક્રમમાં છે $(W_A > W_B > W_C)$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E_k$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $v$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા માત્ર શેના પર આધાર રાખે છે?