સિલ્વર અને સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $4.6 \ eV$ અને $2.3 \ eV$ છે. સિલ્વર અને સોડિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ આવૃત્તિના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ફોટોસેલ $100 \ W$ ના મરક્યુરી સ્ત્રોત દ્વારા પ્રકાશિત થાય છે. તે $2271 \ \mathring A$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.3 \ V$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય $eV$ માં શોધો.

$331 \text{ nm}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે, જેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.2 \text{ V}$ છે. પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $\alpha \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. ($h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s}$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ અને $c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$) ($.68$ માં)

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં,માપવામાં આવેલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ રેખાના ઢાળને ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $(e)$ વડે ગુણતા શું મળે છે?

$v$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કોના સમપ્રમાણમાં હોય છે?