तीन समान p-n जंक्शन डायोड D_1, D_2 और D_3 को | vedclass

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Question

(C) $1$. प्रत्येक डायोड के अभिनति (biasing) का विश्लेषण करें:- डायोड $D_1$ अग्र-अभिनत (forward-biased) है क्योंकि इसका p-सिरा बैटरी के धनात्मक टर्मिनल

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$W_3 > W_2 > W_1$

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(C) $1$. प्रत्येक डायोड के अभिनति (biasing) का विश्लेषण करें:- डायोड $D_1$ अग्र-अभिनत (forward-biased) है क्योंकि इसका p-सिरा बैटरी के धनात्मक टर्मिनल से जुड़ा है।- डायोड $D_2$ एक खुले परिपथ (open circuit) में है (तार में अंतराल के कारण), इसलिए इसमें से कोई धारा प्रवाहित नहीं होती है। यह एक अनभिनत (unbiased) डायोड के रूप में कार्य करता है।- डायोड $D_3$ पश्च-अभिनत (reverse-biased) है क्योंकि इसका n-सिरा बैटरी के धनात्मक टर्मिनल से जुड़ा है।$2$. अभिनति और अवक्षय परत की चौड़ाई के बीच संबंध:- अग्र-अभिनति अवक्षय परत की चौड़ाई को कम करती है $(W_f - अनभिनत अवस्था में मानक अवक्षय परत चौड़ाई $(W_0)$ होती है।- पश्च-अभिनति अवक्षय परत की चौड़ाई को बढ़ाती है $(W_r > W_0)$।$3$. चौड़ाई की तुलना करें:- $D_1$ (अग्र-अभिनत) के लिए: $W_1$ न्यूनतम है।- $D_2$ (अनभिनत) के लिए: $W_2$ मध्यवर्ती है।- $D_3$ (पश्च-अभिनत) के लिए: $W_3$ अधिकतम है।अतः, $W_3 > W_2 > W_1$।

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दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ......$A$ है।

$p-n$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

आदर्श डायोड मानकर,चित्र में दिए गए परिपथ के लिए आउटपुट वेवफॉर्म खींचिए। वेवफॉर्म की व्याख्या कीजिए।

निम्नलिखित सिलिकॉन-आधारित ट्रांजिस्टर सर्किट में $V_{CE}$ ज्ञात कीजिए। ($V$ में)

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