ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_1, D_2,$ અને $D_3$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 \ eV, 2 \ eV,$ અને $3 \ eV$ છે. આમાંથી કયા ફોટોડાયોડ $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?

ફોટોડાયોડની વાહકતા ત્યારે જ બદલાવાનું શરૂ થાય છે જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ < 660 \, nm કરતા ઓછી હોય. ફોટોડાયોડનો બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ જેટલો મળે છે. $x$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે? (આપેલ છે, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)

જાંબલી (તરંગલંબાઈ $= 4000 \, \mathring{A}$) $LED$ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી અર્ધવાહક પદાર્થનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ $....... \, \text{eV}$ છે. (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

સોલર સેલ બનાવવા માટે યોગ્ય પદાર્થ કયો છે?

કયા પ્રકારના $p-n$ જંકશન ડાયોડને કોઈ પણ પ્રકારના બાયસ (bias) ની જરૂર પડતી નથી?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.