બે સમાન ધાતુની પ્લેટો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવે છે. પ્લેટ $A$ પર ${\lambda _A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ અને પ્લેટ $B$ પર ${\lambda _B}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,જ્યાં ${\lambda _A} = 2{\lambda _B}$ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા શું હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં એક ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $n$ થી ધરા અવસ્થામાં કૂદકો મારે છે. આ રીતે ઉત્સર્જિત તરંગલંબાઇ $2.75 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10 \ V$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય શોધો.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?