એક ધાતુની સપાટી પર બે ફોટોન,જેની ઊર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં અનુક્રમે બમણી અને ત્રણ ગણી છે,તે એક પછી એક આપાત થાય છે. તો આ બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

આકૃતિ ચાર અલગ-અલગ વિકિરણો માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરન્ટમાં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. ધારો કે $f_a$,$f_b$,$f_c$ અને $f_d$ એ અનુક્રમે વક્ર $a$,$b$,$c$ અને $d$ માટેની આવૃત્તિઓ છે.

$4.2\,eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $2.2\,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. સપાટીનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $.........\,V$ છે.

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ આપાત થાય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... પર આધાર રાખે છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \ eV$ છે. આ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_e$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવી વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $c = \text{પ્રકાશની ઝડપ}$):