કયા પ્રકારના $p-n$ જંકશન ડાયોડને કાર્ય કરવા માટે ફોરવર્ડ બાયસની જરૂર પડતી નથી?

એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ $GaAs$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે, જેનો બેન્ડ ગેપ $1.42 \,eV$ છે. $LED$ માંથી ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

વિધાન: રિવર્સ બાયસ ધરાવતા $p-n$ જંકશનનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટો-ડાયોડ તરીકે થઈ શકે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

$3.1 \,eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેના દ્વારા શોધી શકાય છે?

એક લાલ $LED$ $0.1 \ W$ પર પ્રકાશનું ઉત્સર્જન સમાન રીતે બધી દિશાઓમાં કરે છે. ડાયોડથી $1 \ m$ ના અંતરે પ્રકાશના વિદ્યુતક્ષેત્રનો કંપવિસ્તાર .... $V \ m^{-1}$ છે.

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને સાચો જવાબ ઓળખો:
$A$. સોલર સેલ માટે,$I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આપેલ આલેખના $IV$ ચરણમાં આવેલી છે.
$B$. રિવર્સ બાયસ્ડ $pn$ જંકશન ડાયોડમાં,$(\mu A)$ માં મપાતો પ્રવાહ મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે.