जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह

  • A
    विभव प्राचीर (potential barrier) को बढ़ाता है
  • B
    बहुसंख्यक वाहक धारा (majority carrier current) को शून्य कर देता है
  • C
    विभव प्राचीर (potential barrier) को कम करता है
  • D
    उपरोक्त में से कोई नहीं

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एक अर्धचालक डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज का मान $0.5 \ V$ से $0.7 \ V$ तक बढ़ाया जाता है। परिणामस्वरूप फॉरवर्ड धारा में $1 \ mA$ का परिवर्तन होता है,तो डायोड का फॉरवर्ड प्रतिरोध ....... $\Omega$ है।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, परिपथ आरेख में दिखाई गई व्यवस्था में धारा क्या होगी ($ mA$ में)?

$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

दिए गए परिपथ में, बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा ...... $A$ है।

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