जब एक अर्धचालक में थोड़ी मात्रा में अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं, तो सामान्यतः इसकी प्रतिरोधकता:

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए दिए गए कथनों में से कौन सा सत्य है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

जर्मेनियम क्रिस्टल को $P-$प्रकार के अर्धचालक में बदलने के लिए मिलाई गई अशुद्धि की संयोजकता क्या है?

$n$-प्रकार के अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन सांद्रता,$p$-प्रकार के अर्धचालक में होल सांद्रता के समान है। प्रत्येक पर एक बाहरी विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है। उनमें प्रवाहित धाराओं की तुलना करें।

एक अर्धचालक में,$27^{\circ} \text{C}$ पर आंतरिक आवेश वाहकों की संख्या घनत्व $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ है। यदि अर्धचालक को अशुद्धि परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो होल घनत्व बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ है।