જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં શું હોય છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

$300 \text{ K}$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ છે. જો પ્રતિ ઘન મીટર $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ $(n_D)$ ઉમેરવામાં આવે, તો સિલિકોન સ્ફટિકમાં નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?