જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને ત્રણ ગણી ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક પછી એક આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ છે. ગુણોત્તર $V_1: V_2$ કેટલો થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $V_{1}$ અને $V_{2}$ માપવામાં આવ્યું હતું. $V_{1}$ અને $V_{2}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

$2.4 \text{ eV}$ ઉર્જા અને $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે અને $v$ મહત્તમ વેગ સાથે ફોટોઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે। $\lambda$ માં $50 \%$ ઘટાડો કરવાથી, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $3 v$ થાય છે। ધાતુની પ્લેટના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($\text{ eV}$ માં)?

એક ધાતુની સપાટીને આપેલ તીવ્રતા અને આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા તેના મૂળ મૂલ્યના $1/4$ ભાગ જેટલી ઘટાડવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

પ્રકાશ તરંગનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E = 10^{-3} \cos \left( \frac{2\pi x}{5 \times 10^{-7}} - 2\pi \times 6 \times 10^{14} t \right) \hat x \, N/C$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ છે.

સિલ્વર માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda_{0}$ છે. $\lambda$ $(\lambda < \lambda_{0})$ જેટલી આપાત તરંગલંબાઈ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કેટલી હશે?