નીચેનામાંથી કયા પરિબળને લેન્થેનોઈડ સંકોચનનું મુખ્ય કારણ ગણી શકાય?

  • A
    સબશેલમાં એક $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા બીજાનું નબળું શીલ્ડિંગ
  • B
    સબશેલમાં એક $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા બીજાનું અસરકારક શીલ્ડિંગ
  • C
    $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા $5d$ ઈલેક્ટ્રોનનું નબળું શીલ્ડિંગ
  • D
    $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા $5d$ ઈલેક્ટ્રોનનું વધુ પડતું શીલ્ડિંગ

Explore More

Similar Questions

લેન્થેનાઈડ સંકોચન શા કારણે પરિણમે છે?

નીચેનામાંથી સૌથી વધુ બેઝિક હાઇડ્રોક્સાઇડ કયું છે?

નીચેનાં વિધાનો સાચાં $(T)$ છે કે ખોટાં $(F)$ તે નક્કી કરો :
$(a)$ એક્ટિનોઈડ સંકોચન એક તત્ત્વથી બીજા તત્ત્વ તરફ વધતું જાય છે.
$(b)$ એક્ટિનોઈડ સંકોચન એક તત્ત્વથી બીજા તત્ત્વ તરફ ઘટતું જાય છે.
$(c)$ લેન્થેનોઈડ સંકોચન થાય છે,પણ એક્ટિનોઈડ સંકોચન થતું નથી.

Difficult
View Solution

નીચેનામાંથી કયો આયન સૌથી પ્રબળ ઓક્સિડેશનકર્તા છે? [ $Ce = 58, Eu = 63, Tb = 65, Lu = 71$ નો પરમાણુ ક્રમાંક ]

જો $M^{3+}$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Xe] \ 4f^3$ હોય,તો $M^{3+}$ શું છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo