સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે નીચેનામાંથી શું ઉમેરવાથી $n-$પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બને છે?

$5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા,$5 \times 10^{19} \, m^{-3}$ હોલ સાંદ્રતા,$2.0 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી અને $0.01 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ હોલ મોબિલિટી ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર નમૂનાની વાહકતા કેટલી હશે? (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $1.6 \times 10^{-19} \, C$ લો)

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા-ઘનતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \ m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \ m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \ m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \ m^2/V \cdot s$ હોય,તો આ અર્ધવાહક ...... હશે.