આયનીકરણ એન્થાલ્પીના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

  • A
    દરેક ક્રમિક ઇલેક્ટ્રોન માટે આયનીકરણ એન્થાલ્પી વધે છે.
  • B
    નિષ્ક્રિય વાયુની ઇલેક્ટ્રોન રચનાના કોર (core) માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા પર આયનીકરણ એન્થાલ્પીમાં સૌથી મોટો વધારો જોવા મળે છે.
  • C
    સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનનું નિર્ધારણ આયનીકરણ એન્થાલ્પીમાં મોટા ઉછાળા દ્વારા ચિહ્નિત થયેલ છે.
  • D
    નીચું $n$ મૂલ્ય ધરાવતી કક્ષકોમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાનું,ઊંચું $n$ મૂલ્ય ધરાવતી કક્ષકો કરતા સરળ છે.

Explore More

Similar Questions

નાઇટ્રોજન અને ઓક્સિજન પરમાણુઓની પ્રથમ આયનીકરણ પોટેન્શિયલ (ઇલેક્ટ્રોન વોલ્ટ $(eV)$ માં) અનુક્રમે નીચે મુજબ છે:

પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો વધતો ક્રમ કયો છે?

કયું તત્વ તેની પ્રથમ અને દ્વિતીય આયનીકરણ ઉર્જા વચ્ચે સૌથી મોટો તફાવત ધરાવે છે?

નીચેનામાંથી કયા સેટમાં $IE$ નો સરવાળો અન્ય તમામ સેટની તુલનામાં સૌથી વધુ છે?

Difficult
View Solution

નાઇટ્રોજન અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ માટે પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીના મૂલ્યો ($eV$ માં) અનુક્રમે નીચેનામાંથી કયા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo