આયનીકરણ એન્થાલ્પીના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

  • A
    દરેક ક્રમિક ઇલેક્ટ્રોન માટે આયનીકરણ એન્થાલ્પી વધે છે.
  • B
    આયનીકરણ એન્થાલ્પીમાં સૌથી મોટો વધારો નિષ્ક્રિય વાયુની કોર ઇલેક્ટ્રોન રચનામાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા પર જોવા મળે છે.
  • C
    સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનનો અંત આયનીકરણ એન્થાલ્પીમાં મોટા ઉછાળા દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે.
  • D
    નીચા $n$ મૂલ્ય ધરાવતી કક્ષકોમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા એ ઉચ્ચ $n$ મૂલ્ય ધરાવતી કક્ષક કરતા સરળ છે.

Explore More

Similar Questions

નીચેના તત્વોમાંથી,સૌથી વધુ આયનીકરણ ઉર્જા કોની છે?

સોડિયમ સામાન્ય રીતે $+2$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવતું નથી,તેનું કારણ શું છે?

List-$I$ ને List-$II$ સાથે જોડો:
List-$I$ (ઇલેક્ટ્રોનિક રચના)List-$II$ ($\Delta_{i}H$ in $kJ\ mol^{-1}$)
$(a)$ $1s^{2} 2s^{2}$$(i)$ $801$
$(b)$ $1s^{2} 2s^{2} 2p^{4}$$(ii)$ $899$
$(c)$ $1s^{2} 2s^{2} 2p^{3}$$(iii)$ $1314$
$(d)$ $1s^{2} 2s^{2} 2p^{1}$$(iv)$ $1402$

નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(I.P.)$ ના વલણો અંગે ખોટી જોડી ઓળખો:
$I.P.$ \text{ વલણ} કારણ
$A$. $N > O$ અર્ધ-ભરાયેલી ઇલેક્ટ્રોન રચના
$B$. $Zr < Hf$ લેન્થેનાઇડ સંકોચન
$C$. $Na > K$ $Z_{eff}$
$D$. $Al < Ga$ ટ્રાન્ઝિશન સંકોચન

આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo