ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) અને એક્સટ્રિન્સિક (અશુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત લખો.

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો વિશે ટૂંકમાં લખો.

જો હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_h$ અને $n_e$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો અંતર્ગત (intrinsic) અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

બહિર્ગત અર્ધવાહકમાં હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અનુક્રમે ${N_p}$ અને ${N_e}$ છે. તો:

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.