$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક ડાયોડને અવરોધ $R$ સાથે સમાંતરમાં જોડવામાં આવ્યો છે. સૌથી સંભવિત પ્રવાહ $(I)$ - વોલ્ટેજ $(V)$ લાક્ષણિકતા કઈ છે?

નીચેની આકૃતિમાં,કયા ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે?

જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે, ત્યારે તે . . . . . . .

આપેલ પરિપથમાં, લોડ અવરોધ $(R_L)$ પરનો વોલ્ટેજ કેટલો છે ($V$ માં)?

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.