$m_p$ દળ ધરાવતા પ્રોટોનની ઊર્જા $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન જેટલી જ છે. જો પ્રોટોન અ-સાપેક્ષવાદી ઝડપે ગતિ કરતો હોય,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અને ફોટોનની તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જો ઈલેક્ટ્રોનનું વેગમાન $P_m$ જેટલું બદલાતું હોય અને તેની સાથે સંકળાયેલી દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં $0.50\ \%$ નો ફેરફાર થતો હોય, તો ઈલેક્ટ્રોનનું પ્રારંભિક વેગમાન શોધો। ($P_m$ માં)

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ કયા સિદ્ધાંત પર આધારિત છે?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં ઇલેક્ટ્રોનના કયા સ્વભાવનો ઉપયોગ થાય છે?

ઇલેક્ટ્રોનને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા અને પ્રોટોનને $4V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અનુક્રમે $\lambda_e$ અને $\lambda_p$ છે. $\frac{\lambda_e}{\lambda_p}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? (અહીં $m_e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $m_p$ એ પ્રોટોનનું દળ છે).

એક કણ ઇલેક્ટ્રોન કરતાં ત્રણ ગણી ઝડપે ગતિ કરી રહ્યો છે. કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અને ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર $1.813 \times 10^{-4}$ છે. કણનું દળ ગણો અને કણ ઓળખો.