$A$ જેટલું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ જેટલું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થો વડે ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. તો કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

  • A
    $\frac{\varepsilon_0 A}{d}(K_1+K_2)$
  • B
    $\frac{\varepsilon_0 A}{d}\left(\frac{K_1+K_2}{K_1 K_2}\right)$
  • C
    $\frac{2 \varepsilon_0 A}{d}\left(\frac{K_1 K_2}{K_1+K_2}\right)$
  • D
    $\frac{2 \varepsilon_0 A}{d}\left(\frac{K_1+K_2}{K_1 K_2}\right)$

Explore More

Similar Questions

વિધાન : જો કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ત્રણ ગણો કરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $6$ ગણું થાય છે.
કારણ : કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ પ્લેટો વચ્ચેના પદાર્થના પ્રકાર પર આધાર રાખતું નથી.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12 \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાયઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર મેળવો.

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,પ્લેટોની વચ્ચે તેમને સમાંતર એક ધાતુની શીટ મૂકવામાં આવે છે. જો શીટની જાડાઈ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર કરતા અડધી હોય,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$,પહોળાઈ $w$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $d$ જાડાઈ અને $k = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની અંદર સ્લેબની કેટલી લંબાઈ $x$ માટે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા પ્રારંભિક સંગ્રહિત ઉર્જા કરતા બમણી થશે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo