હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12 \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક અલગ કરેલા ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ સમાન રહેશે?

જ્યારે કેપેસિટરમાં રહેલી હવાને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમ દ્વારા બદલવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસીટન્સ

બે સમાન કેપેસિટર્સ $A$ અને $B$ પરિપથમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. શરૂઆતમાં સ્વીચ $S$ બંધ છે. હવે સ્વીચ ખોલવામાં આવે છે અને કેપેસિટર્સની પ્લેટો વચ્ચેની ખાલી જગ્યામાં $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટર્સમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત વિદ્યુત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$C$ અને $nC$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે હવા-ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર્સના સમાંતર જોડાણને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે કેપેસિટર્સ સંપૂર્ણપણે ચાર્જ થઈ જાય છે,ત્યારે બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ પ્રથમ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે. સંયુક્ત સિસ્ટમનો નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

$30 \pi \, cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટો વચ્ચે $1 \, mm$ નું અંતર રાખીને એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3.6 \times 10^{7} \, Vm^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતું દ્રવ્ય ભરવામાં આવે છે. જો ડાયઇલેક્ટ્રિક બ્રેકડાઉન થયા વગર કેપેસિટર પર સંગ્રહિત કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર $7 \times 10^{-6} \, C$ હોય,તો તે દ્રવ્યનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક શોધો. $\{ \text{Use} : \frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}} = 9 \times 10^{9} \, Nm^{2}C^{-2} \}$